創新性的橫向彈簧針端子和Mo柱互連解決了現有標準化封裝在功率密度和熱性能方面的不足，提供芯片頂部和底部的熱通路，從而提高散熱能力。采用燒結銀將芯片連接在兩個高導熱AlN陶瓷DBA基板之間，通過Mo柱將芯片的源極和柵極連接到上基板，減輕了熱機械應力，改善了可靠性。Cu柱支撐封裝兩側的基板，并為橫向彈簧針端子提供安裝表面，橫向彈簧針穿過3D打印的外殼將模塊連接到高壓PCB母線。外殼和彈簧針端子之間采用硅膠墊圈密封，防止密封劑泄漏。將器件安裝在兩個PCB母線之間，可以實現高密度集成和高度模塊化。動態測試IGBT自動化設備能夠模擬真實工作環境下的各種負載情況。靜態測試外殼組裝兼容設備規格
目前商用的SiC肖特基二極管受限于傳統塑料封裝形式，其額定工作結溫上限只能達到175℃。現有SiC器件的封裝仍主要采用焊接封裝，考慮到芯片絕緣和隔離外界環境的目的，封裝模塊內部灌封有完全覆蓋芯片表面的熱導率較低的硅凝膠，硅凝膠上層為空氣，該封裝形式也使得這種從上向下的熱傳導成為芯片產生熱量的散熱通道。為了充分利用SiC器件高結溫的優勢，發揮SiC器件的潛力，開發新的便于芯片散熱的封裝結構，為芯片封裝提供高效的散熱路徑，達到降低芯片結溫，提升器件整體性能的目的，非常有必要改進現有的傳統功率器件封裝技術，開發新型功率器件封裝結構。由此，通過增加封裝器件的散熱路徑來提高器件散熱能力的方法也就很自然的被提出。IGBT自動化設備制造IGBT自動化設備的動態測試有助于提前發現潛在的故障和不良。
4種AlN基板可靠性測試（冷熱沖擊）：對4種AlN覆銅基板循環進行冷熱沖擊熱循環實驗，條件為在-55℃~150℃，每個溫度保溫30min，5s內完成到155℃溫度轉換，循環次數為100cycles、500cycles、1000cycles、1500cycles。可得AMB法制備的AlN覆銅板耐熱沖擊次數明顯高于其他制備工藝。AlN覆銅板耐熱沖擊主要的失效模式為金屬層剝離和AlN陶瓷基板開裂。對于DPC基板，在200次冷熱循環后，金屬層與AlN完全剝離，剝離強度為0。AlN厚膜覆銅板，在500次冷熱循環后，金屬層有局部剝離，剝離強度降為百分之二十。DBC基板在1000次冷熱循環后，剝離強度降低了20%，但去除金屬層，通過超聲波掃描顯微鏡探測，與銅結合邊緣處AlN基板有微裂紋，這是由于金屬Cu和AlN的熱膨脹系數差別大，兩者在高溫急速降溫過程中，材料內部存在大量的熱應力，而導致開裂。AMB基板在1500次冷熱循環后，金屬層剝離力無下降現象，陶瓷表面無微裂紋。由于金屬層與AlN陶瓷之間有剛度較低的活性釬料過渡層，可以避免大量的熱應力形成而造成的AlN陶瓷基板微裂紋產生。
鍵合線與半導體器件間存在材料熱膨脹系數的不匹配，使得線鍵合處往往成為易失效位點，甚至出現裂紋或者松動，導致接觸不良，使鍵合點處的接觸熱阻增大，溫度升高，加速該點的失效。無鍵合線單面散熱器件芯片與基板的連接與鍵合線連接器件相同。無鍵合線面互連封裝降低了封裝寄生電感和電阻，大的接觸面積增強了傳熱。上述封裝結構只能通過由芯片底部的陶瓷基板和底板構成的路徑進行散熱。目前鍵合線連接的硅基器件單面散熱封裝結構已接近其散熱極限，硅芯片的工作結溫也接近其承受上限，嚴重影響了器件的性能，更限制了具有更高溫度運行能力的SiC器件的性能。從散熱的角度看，功率器件產生的熱量只能通過底面傳遞，限制了其散熱性能。在目前封裝材料性能和封裝工藝暫時無法取得較大改善的情況下，通過創新結構布局和設計，優化散熱路徑，是解決功率器件封裝散熱的有效方案。IGBT自動化設備利用X光缺陷檢測技術，篩選出合格的半成品，確保產品質量。
PCoB連接雙面散熱：雖然雙基板封裝具備雙面散熱的能力，但基板與底板連接，引入寄生電感，同時存在基板熱阻較大的問題，為提高器件的電氣性能和熱性能，研究人員提出了一種功率芯片連接在總線上(PowerChiponBus，PCoB)的雙面散熱封裝方法，將芯片連接到2個母線狀金屬基板上，基板通過預先成型的環氧樹脂粘合在一起，金屬基板相對于陶瓷基板具有更優異的導熱性能。厚翅片銅既作為熱沉又作為母線。鉬墊片用作芯片和底部基板間的熱膨脹緩沖層，以降低因熱碰撞系數(CTE)失配引起的熱機械應力。通過自動化設備，IGBT模塊的工作原理得以實現，確保快速開斷和電流流向的精確控制。北京工業模塊自動組裝線市價
IGBT自動化設備的動態測試可驗證器件在高頻環境下的穩定性和響應。靜態測試外殼組裝兼容設備規格
采用燒結銀工藝將芯片倒裝燒結到DBC基板上，芯片背面采用銅夾連接，銅夾上連接散熱器，形成芯片上表面的熱通路。采用聚合物熱界面材料在模塊的上下表面連接兩個陶瓷散熱器，進行雙面散熱。由于芯片倒裝鍵合面積只占芯片面積的很小一部分，接觸面積較小成為限制該封裝散熱性能的關鍵。該封裝中倒裝芯片鍵合層和銅夾連接層對模塊熱性能的影響比連接散熱器的熱界面材料的影響更加明顯。增大倒裝芯片的鍵合面積有助于降低倒裝芯片鍵合層的熱阻，有利于降低芯片結溫。研究表明，通過增大芯片電極金屬化面積，如將芯片電極面積占比從22%提高到88%，采用倒裝鍵合，芯片結溫可降低20-30℃。建議可以通過采用擴大芯片電極金屬化面積，增大鍵合面積的方式來降低熱阻。靜態測試外殼組裝兼容設備規格