有人研究了不同有機配體對此類光刻膠光刻性能的影響。有機配體會影響光刻膠的靈敏度。通過配體交換法，他們制備了反二甲基丙烯酸（DMA）和鄰甲基苯甲酸（TA）配體的HfO2、ZrO2體系。其中HfO2-DMA和ZrO2-DMA體系的靈敏度較高，為1.6~2.4mJ·cm?2，可實現20nm線寬的光刻圖案。此外，配體的種類還將影響光刻膠的溶解性。Li等報道了不同濃度的不同羧酸與ZrO2或HfO2配合之后的溶解度變化情況，發現不飽和的羧酸配體能獲得更大的溶解性差異。光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業與化工行業交叉的領域，是典型的技術密集行業。蘇州g線光刻膠單體
2005年，研究人員利用美國光源的高數值孔徑微觀曝光工具評價了RohmandHaas公司研發的新型ESCAP光刻膠MET-1K，并將其與先前的EUV-2D光刻膠相比較。與EUV-2D相比，MET-1K添加了更多的防酸擴散劑。使用0.3NA的EUV曝光工具，在90~50nm區間，EUV-2D和MET-1K的圖形質量都比較好；但當線寬小于50nm時，EUV-2D出現明顯的線條坍塌現象，而MET-1K則直到35nm線寬都能保持線條完整。在45nm線寬時，MET-1K仍能獲得較好的粗糙度，LER達到6.3nm。可見MET-1K的光刻性能要優于EUV-2D。從此，MET-1K逐漸代替EUV-2D，成為新的EUV光刻設備測試用光刻膠。浙江LCD觸摸屏用光刻膠光刻膠按應用領域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。
2005 年起，Gonsalves 課題組將陽離子基團（硫鎓鹽等）修飾的甲基丙烯酸酯與其他光刻膠單體共聚，制備了一系列側基連接光致產酸劑的光刻膠，聚合物中金剛烷基團的引入可以有效提升抗刻蝕性。這類材料與主體材料和產酸劑簡單共混的配方相比，呈現出更高的靈敏度和對比度。2009年起，Thackeray等則將陰離子基團連接在高分子主鏈上，通過EUV曝光可以得到的光刻圖形分辨率為22nm光刻圖形，其對應的靈敏度和線邊緣粗糙度分別為12mJ·cm?2和4.2nm。2011年，日本富士膠片的Tamaoki等也報道了一系列對羥基苯乙烯型主鏈鍵合光致產酸劑的高分子光刻膠，并研究了不同產酸劑基團、高分子組成對分辨率、靈敏度和粗糙度的影響，最高分辨率可達17.5nm。
所謂光刻技術，指的是利用光化學反應原理把事先準備在掩模版上的圖形轉印到一個襯底（晶圓）上，使選擇性的刻蝕和離子注入成為可能的過程，是半導體制造業的基礎之一。隨著半導體制造業的發展，光刻技術從曝光波長上來區分，先后經歷了g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm，包括干式和浸沒式）和極紫外（EUV，13.5nm）光刻。對應于不同的曝光波長，所使用的光刻膠也得到了不斷的發展。目前7nm和5nm技術節點已經到來，根據各個技術的芯片制造企業公告，EUV光刻技術已正式導入集成電路制造工藝。在每一代的光刻技術中，光刻膠都是實現光刻過程的關鍵材料之一。光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，受到光照后特性會發生改變，主要應用于電子工業和印刷工業領域。
由于EUV光刻膠膜較薄，通常小于100nm，對于精細的線條，甚至不足50nm，因此光刻膠頂部與底部的光強差異便顯得不那么重要了。而很長一段時間以來，限制EUV光刻膠發展的都是光源功率太低，因此研發人員開始反過來選用對EUV光吸收更強的元素來構建光刻膠主體材料。于是，一系列含有金屬的EUV光刻膠得到了發展，其中含金屬納米顆粒光刻膠是其中的典型。2010年，Ober課題組和Giannelis課題組首度報道了基于HfO2的金屬納米顆粒光刻膠，并研究了其作為193nm光刻膠和電子束光刻膠的可能性。隨后，他們將這一體系用于EUV光刻，并將氧化物種類拓寬至ZrO2。他們以異丙醇鉿（或鋯）和甲基丙烯酸（MAA）為原料，通過溶膠-凝膠法制備了穩定的粒徑在2~3nm的核-殼結構納米顆粒。納米顆粒以HfO2或ZrO2為核，具有很高的抗刻蝕性和對EUV光的吸收能力；而有機酸殼層不但是光刻膠曝光前后溶解度改變的關鍵，還能使納米顆粒穩定地分散于溶劑之中，確保光刻膠的成膜性。ZrO2-MAA納米材料加入自由基引發劑后可實現負性光刻，在4.2mJ·cm?2的劑量下獲得22nm寬的線條；而加入光致產酸劑曝光并后烘，利用TMAH顯影則可實現正性光刻。目前，我國光刻膠自給率較低，生產也主要集中在中低端產品，國產替代的空間廣闊。華東PCB光刻膠集成電路材料
光刻膠通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。蘇州g線光刻膠單體
環狀單分子樹脂中除了杯芳烴類物質以外，還有一類被稱為“水車”（Noria）的光刻膠，該類化合物由戊二醛和間苯二酚縮合而成，是一種中心空腔的雙層環梯狀結構分子，外形像傳統的水車，因此得名，起初在2006年時由日本神奈川大學的Nishikubo課題組報道出來。隨后，日本JSR公司的Maruyama課題組將Noria改性，通過金剛烷基團保護得到了半周期為22nm的光刻圖形。但是這種光刻膠的靈敏度較低、粗糙度較大，仍需進一步改進才能推廣應用。蘇州g線光刻膠單體